王盛凯

博士，研究员，博士生导师，课题组长，教育处处长
wangshengkai at ime.ac.cn
010-82995593
北京市朝阳区北土城西路3号B307室

教育经历

2008.10-2011.9 东京大学 材料工程系 博士
2006.9-2008.9 哈尔滨工业大学 材料物理与化学系 硕士
2002.9-2006.8 哈尔滨工业大学 材料物理与化学系 学士

工作经历

2023.11-至今　中科院微电子研究所，教育处处长
2022.1-2022.12　中科院微电子器件与集成技术重点实验室，副主任
2020.7-2023.11　中科院微电子研究所 研究员，课题组长
2015.8-2020.7　中科院微电子研究所 副研究员，课题组长
2015.4-2015.7　东京大学　材料工程系　公派访问学者
2013.10-2015.3 中科院微电子研究所 副研究员
2011.10-2013.9 中科院微电子研究所 助理研究员

学术兼职

  1. 国际固态薄膜会议(IWDTF)-技术委员会委员 (2020-至今)
  2. Book Series: Frontiers in Semiconductor Technology (Taylor & Francis)-主编 (2021-至今)

研究方向

面向3D-DRAM的氧化物晶体管器件、半导体器件可靠性

论文与专著

发表论文超过120篇；超过100项发明专利申请，其中中国专利授权50+项，美国专利5项, 对外许可8项，出版图书专著2部，译著1部，章节2章。

图书专著

  1. S.-K. Wang, Kinetic Studies in GeO2/Ge System: A Retrospective from 2021, CRC Press, Taylor & Francis, 2022.
  2. S.-K. Wang, X. -L. Wang, MOS Interface Physics, Process, and Characterization, CRC Press, Taylor & Francis, 2021.
  3. S.-K. Wang*, H. G. Liu*, Passivation and Characterization in High-k/III-V Interfaces, in book entitled Nanoscale Semiconductor Devices, MEMS, and Sensors: Outlook and Challenges, Springer Publisher, New York, USA, 2017.

代表论文：

  1. J. Wang, Z. Bai, K. Zhang, Z. Wu, D. Geng, Y. Xu, N. You, Y. Li, G. Yang, L. Li*, S. K. Wang*, M. Liu, Ge-doped In2O3: First Demonstration of Utilizing Ge as Oxygen Vacancy Consumer to Break the Mobility/Reliability Tradeoff for High Performance Oxide TFTs, VLSI Symp, (2024) T12.2.
  2. J. Wang, K. Zhang, Y. Li, N. You, Y. Xu, L. Li, S.-K. Wang*, Effect of Atmosphere Dependent Annealing on the Electrical Characteristics of a-In2O3 Thin-film Transistors, IEEE Trans. Electron Device, 71, 1932 (2024)
  3. N. You, X. Liu, Q. Zhang, Z. Wang, J. Wang, Y. Xu, X. Li, Y. Guo, S.-K. Wang*, Enhanced quality of Al2O3/SiC gate stack via microwave plasma annealing, Rare Metals,（2024） https://doi.org/10.1007/s12598-024-02781-y
  4. Q. Zhang, N. You*, P. Liu, J. Wang, Y. Xu, S.-K. Wang*, Study of defects distribution in SiO2/SiC with plasma oxidation and post oxidation
    annealing, Applied Surface Science, 610, 155500 (2023).
  5. Q. Hu, Y. Xu, Y, Zhou, S. -K. Wang*, Q. Huang, J. Zhao, X.-L. Liang*, Utlizing an SWCNT-TFT “Electronic Hourglass” for Artifical Synapse Application, ACS Applied Electronic Materials, 4, 974 (2022).
  6. N. N. You, X. Y. Liu, Y. Bai, P. Liu, Q. Zhang, Y. Zhang, S.-K. Wang*, Oxidation Kinetics of SiC in Microwave Oxygen Plasma, Applied Surface Science, 562, 150165 (2021).
  7. N. N. You, X. Y. Liu, Y. Bai, P. Liu, Q. Zhang, S.-K. Wang*, Demonstration of non-negligible oxygen exchange in the thermal oxidation of silicon carbide, Vacuum, 191, 110403 (2021).
  8. X. Y. Liu*, J. L. Hao, N. N. You, Y. Bai, Y. D. Tang, C. Y. Yang, S. K. Wang*, High mobility SiC MOSFET with low Dit using high pressure microwave plasma oxidation, Chin. Phys. B, 29, 037301 (2020).
  9. S. -K. Wang*, Q. Huang, J. Zhao, Y. Zhou, X. L. Zhao, P. L. Yao, X. Y. Liu, X. L. Liang, Electro-chemiresistive Functionalization of SWCNT-TFT by PCz and Its Electronic Hourglass Application with Zero-static Power Consumption, ACS Applied Energy Materials, 2(11), 8253 (2019).
  10. Z. Y. Peng, S. K. Wang*, Y. Bai, Y. D. Tang, X. M. Chen, C. Z. Li, K. A. Liu, X. Y. Liu*, High Temperature 1MHz Capacitance-Voltage Method for Evaluation of Border Traps in 4H-SiC MOS System, J. Appl. Phys. 123, 135302 (2018).
  11. S. -K. Wang*, B. Sun, M.-M. Cao, H.-D. Chang, Y.-Y. Su, H.-O. Li, and H.-G. Liu*, Modification of Al2O3/InP interfaces using sulfur and nitrogen passivations, J. Appl. Phys., 121, 184104 (2017).
  12. S.-K. Wang*, Turbo charging the channel (Invited), Compound Semiconductor, 1, 22-30 (2016).
  13. S.-K. Wang*, M. Cao, B. Sun, H. Li, H. G. Liu, Reducing the interface trap density in Al2O3/InP stacks by low-temperature thermal process, Appl. Phys. Express 8, 091201 (2015).
  14. X. Yang, S. K. Wang*, X. Zhang, B. Sun, W. Zhao, H. D. Chang, Z. H. Zeng, H. G. Liu*, Al2O3/GeOxgate stack on germanium substrate fabricated by in situ cycling ozone oxidation method, Appl. Phys. Lett. 105, 092101 (2014).
  15. B. -Q. Xue, S.-K. Wang, L. Han, H.-D. Chang, B. Sun, W. Zhao, and H.-G. Liu, High-mobility germanium p-MOSFETs by using HCl and (NH4)2S surface passivation, Chinese Physics B, 22, 504-507 (2013).
  16. S. K. Wang, H.-G. Liu*, and A. Toriumi, Kinetic Study of GeO Disproportionation into GeO2/Ge System Using X-ray Photoelectron Spectroscopy, Appl. Phys. Lett. 101, 5 (2012).
  17. S. K. Wang*, K. Kita, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi, Kinetic Effects of O-Vacancy Generated by GeO2/Ge Interfacial Reaction, Japanese Journal of Applied Physics, 50, 10PE04 (2011).
  18. S. K. Wang*, K. Kita, C. H. Lee, T. Tabata, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi, Desorption kinetics of GeO from GeO2/Ge structure, J. Appl. Phys. 108, 054104 (2010).
  19. K. Kita, S. K. Wang, M. Yoshida, C.H. Lee, K. Nagashio, T.Nishimura and A.Toriumi, Comprehensive Study of GeO2 Oxidation, GeO Desorption and GeO2-Metal Interaction . Understanding of Ge Processing Kinetics for Perfect Interface Control-, IEEE International Electron Device Meeting (IEDM), 693-696 (2009).

代表授权发明专利

  1. Shengkai Wang, et al., Composite Gate Dielectric Layer Applied to Group III-V Substrate and Method for Manufacturing the same, 2019.1.29, US 15/539,597
  2. Shengkai Wang, et al., Dual-Gate PMOS Field Effect Transistor With InGaAs Channel, 2020.2.26，US 15/539,478
  3. 王盛凯，姚沛林，腔式多层膜驻极体发电机结构及其制备方法、供能系统，6.19，中国，ZL 201910236299.3
  4. 王盛凯，姚沛林，纳米发电机倍频输出结构及供能器件，4.21，中国，ZL 201810263391. 4
  5. 王盛凯，赵晓亮，场效应晶体管与检波电路，2021.9.21,中国，201810227333.6

获奖及荣誉

  1. 2021, 中国科学院青年促进会优秀会员
  2. 2019, 北京市技术发明二等奖
  3. 2017, 中国科学院青年促进会会员
  4. 2011, Young Researcher Award, IEEE-IWDTF2011, Japan.
  5. 2009-2011, Global Center of Excellence (GCOE) Scholarship, Japan.
  6. 2008, 哈尔滨工业大学优秀毕业生－金牌
  7. 2006, 国防科工委优秀毕业生

现承担科研项目情况

  1. 国家自然科学基金面上基金项目(62174176) “基于低温原子氧化的SiC MOSFET低界面态栅氧制造技术”（2022-2025）
  2. 中国科学院青年创新促进会-优秀会员项目(2022-2024)
  3. 科研仪器研制项目，YJKYYQ20200039，“低界面态、高可靠性SiC MOSFET栅氧高压微波等离子体生长系统”，(2021-2022)
  4. 科技委-重点基金项目“碳基MOSFET界面表征”(2021-2024)
  5. 科技委创新特区“柔性发电项目” (2020-2022)
  6. 国家自然科学基金面上基金项目(61974159) “基于有效离子半径理论的SiC MOSFET栅介质与界面配位调控研究”（2020-2023）

~2020年以前的项目

  1. 专用集成电路与系统国家重点实验室开放课题(2018KF005)“仿生神经元器件及细胞生物电行为模拟” (2018-2019)
  2. 中国科学院青年促进会项目 (2017-2020)
  3. 中国工程物理研究院横向项目3项 (2016- 2021)
  4. 中国科学院重点实验室开放课题“二元系铁电氧化物极化行为研究”(2015-2016)
  5. 国家自然科学基金青年基金项目(61204103) “Ge-MOS 技术中镧系复合高k介质与GeO2/Ge 界面调控的研究”（2013-2015）
  6. 中国科学院人才基金A类重点项目-“基于光子晶体技术的硅基锗红外探测器研究”（2013-2014）
  7. 参与其它国家级研究项目3项